氮化镓（GaN）是第三代半导体材料中的代表，因其高耐压、高饱和速率等优点，在微波射频和功率电子领域逐渐替代传统的硅基器件，发挥重要作用。埃特曼采用国际**的 Hybrid-MBE 技术，为国内外客户提供高质量、低成本的 GaN 外延片。

射频类：

  GaN-on-SiC HEMT

  GaN-on-Si HEMT

  S/D n+ GaN 二次外延

功率类： 

  GaN-on-Si HEMT